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产品描述
- 商品名称: OCT30P10K
● 100V P-Channel Trench Power MOSFET
封装标识与订购信息（Package Marking and Ordering Information）
（无）
绝对最大额定值（Absolute Maximum Ratings）
● Symbol Parameter Limit Unit
● VDS Drain-Source Voltage(VGS=0V) -100 V
● VGS Gate-Source Voltage(VDS=0V) ±20 V
● Drain Current-Continuous(TC=25℃) -30 A
● ID Drain Current-Continuous(T=100℃)
● C -15.5 A
● IDM (pluse) Drain Current-Continuous@ Current-Pulsed(Note1) -76 A
● Maximum Power Dissipation(TC=25℃) 79 W
● PD Maximum Power Dissipation(T=100℃)
● C 39.5 W
● EAS Avalanche energy(Note2) 156 mJ
● TJ,TSTG Operating Junction and Storage Temperature Range -55 To 175 ℃
● Table 2. Thermal Characteristic
● Symbol Parameter Typ Max Unit
产品简介
产品特性
● 100V P-Channel Trench Power MOSFET
封装标识与订购信息（Package Marking and Ordering Information）
（无）
绝对最大额定值（Absolute Maximum Ratings）
● Symbol Parameter Limit Unit
● VDS Drain-Source Voltage(VGS=0V) -100 V
● VGS Gate-Source Voltage(VDS=0V) ±20 V
● Drain Current-Continuous(TC=25℃) -30 A
● ID Drain Current-Continuous(T=100℃)
● C -15.5 A
● IDM (pluse) Drain Current-Continuous@ Current-Pulsed(Note1) -76 A
● Maximum Power Dissipation(TC=25℃) 79 W
● PD Maximum Power Dissipation(T=100℃)
● C 39.5 W
● EAS Avalanche energy(Note2) 156 mJ
● TJ,TSTG Operating Junction and Storage Temperature Range -55 To 175 ℃
● Table 2. Thermal Characteristic
● Symbol Parameter Typ Max Unit
应用场景
联系方式
电话：021-60833538
邮箱：sales@tps.com.cn
地址：上海市闵行区春光路99弄60号
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