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PiD6501DN

PiD6501DN

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PiD65x1系列芯片是一款具有宽输出侧电源电压范围，宽温度范围的隔离式单通道栅极驱动芯片。可提供4A/6A或10A/10A峰值拉/灌电流的能力，用于驱动功率MOSFET、IGBT、SiC、GaN 等功率器件。PiD65x1系列芯片通过高质量的隔离栅设计和工艺实现原副边间的可靠隔离，其VISO 耐压等级高达5kVRMS (SOW8), 3kVRMS (SOP8)。另外PiD6551采用特有的设计技术提高其抗干扰能力，其共模瞬态抗扰度（CMTI）高达150V/ns 以上，同时具有低电磁辐射和低边沿过充特性，提高系统电磁兼容性。
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  • 产品描述

    • 商品名称: PiD6501DN
    • Number of Channels: 1
    • UVLO of Output Side: 17.6/16.6
    • Output Peak Current: 4/6
    • Output Side ABS Voltage: 35
    • Propagation Delay: 45
    • Withstand Isolation Voltage (VISO @ 60s): 3000
    • Transient Isolation Voltage (VIOTM @ 60s): 4242
    • Package Type: SOP8
    • PIN Count: 8
    • Package Size: 4.9x3.9mm
    • Output Side Operation Voltage (min.): 18.5
    • Output Side Operation Voltage (max.): 28
    • Input Side Operation Voltage (min.): 3
    • Input Side Operation Voltage (max.): 5.5
    • Operating Temperature Range: -40~125

    PiD65x1系列芯片是一款具有宽输出侧电源电压范围，宽温度范围的隔离式单通道栅极驱动芯片。可提供4A/6A或10A/10A峰值拉/灌电流的能力，用于驱动功率MOSFET、IGBT、SiC、GaN 等功率器件。PiD65x1系列芯片通过高质量的隔离栅设计和工艺实现原副边间的可靠隔离，其VISO 耐压等级高达5kVRMS (SOW8), 3kVRMS (SOP8)。另外PiD6551采用特有的设计技术提高其抗干扰能力，其共模瞬态抗扰度（CMTI）高达150V/ns 以上，同时具有低电磁辐射和低边沿过充特性，提高系统电磁兼容性。

    用于IGBT、SiC MOSFETs、Si MOSFETs 驱动 
    10A 峰值拉电流能力及10A 峰值灌电流能力 
    共模瞬态抗扰度（CMTI）大于150V/ns 
    高达35V 的宽输出侧电源电压范围 
    兼容3.3V 或5.0V 输入侧供电电压应用 
    超过1MHz 最大输入信号频率 
    针对所有电源提供UVLO 保护功能 
    宽体SOW8，窄体SOP8 封装可选 
    具有米勒钳位功能，可更好的保护功率器件 
    多版本不同UVLO 阈值可选 
    — 8.5V/12.5V/6.0V/17.6V 分别对应A/B/C/D 版本 
    结温范围：-40 至150℃ 
    开关特性参数： 
    ➢ 45ns 传播延时典型值 
    ➢ 5ns 脉宽失真 
    ➢ 18us VDD 上电延时 

  • 产品简介

    PiD65x1系列芯片是一款具有宽输出侧电源电压范围，宽温度范围的隔离式单通道栅极驱动芯片。可提供4A/6A或10A/10A峰值拉/灌电流的能力，用于驱动功率MOSFET、IGBT、SiC、GaN 等功率器件。PiD65x1系列芯片通过高质量的隔离栅设计和工艺实现原副边间的可靠隔离，其VISO 耐压等级高达5kVRMS (SOW8), 3kVRMS (SOP8)。另外PiD6551采用特有的设计技术提高其抗干扰能力，其共模瞬态抗扰度（CMTI）高达150V/ns 以上，同时具有低电磁辐射和低边沿过充特性，提高系统电磁兼容性。

  • 应用场景

    AC 或无刷直流电机驱动 
    商用空调 
    感应谐振加热装置 
    不间断电源 
    通信电源 
    逆变器 
    高压直流/直流转换器，高压交流/直流转换器 
    车载电池充电器 
    马达驱动 

产品简介

产品特性

应用场景

产品简介

产品特性

用于IGBT、SiC MOSFETs、Si MOSFETs 驱动 
10A 峰值拉电流能力及10A 峰值灌电流能力 
共模瞬态抗扰度（CMTI）大于150V/ns 
高达35V 的宽输出侧电源电压范围 
兼容3.3V 或5.0V 输入侧供电电压应用 
超过1MHz 最大输入信号频率 
针对所有电源提供UVLO 保护功能 
宽体SOW8，窄体SOP8 封装可选 
具有米勒钳位功能，可更好的保护功率器件 
多版本不同UVLO 阈值可选 
— 8.5V/12.5V/6.0V/17.6V 分别对应A/B/C/D 版本 
结温范围：-40 至150℃ 
开关特性参数： 
➢ 45ns 传播延时典型值 
➢ 5ns 脉宽失真 
➢ 18us VDD 上电延时 

应用场景