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OCT19P10K

OCT19P10K

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数据手册 样品申请

  • 产品描述

    • 商品名称: OCT19P10K
    • Package: TO-252-3L
    • Technology: Trench
    • Confi- guration: P
    • VDS_Max (V): -100
    • ID_Max (A): -19
    • VGS(th)_Typ (V): -1.8
    • RDS(ON)_Typ @ VGS = 10V (mΩ): 86
    • RDS(ON)_Typ @ VGS = 4.5V (mΩ): 90
    • VGS_Max (V): ±20
    • EAS_Max (mJ): 156
    • Ciss_Typ (pF): 3700
    • Coss_Typ (pF): 90
    • Crss_Typ (pF): 32
    • ESD: No
    • MPQ （pcs）: 3000
    • MOQ （pcs）: 120000

    ● 100V P-Channel Trench Power MOSFET

    封装标识与订购信息（Package Marking and Ordering Information）

    （无）

    绝对最大额定值（Absolute Maximum Ratings）

    ● Symbol Parameter Limit Unit

    ● VDS Drain-Source Voltage(VGS=0V) -100 V

    ● VGS Gate-Source Voltage(VDS=0V) ±20 V

    ● Drain Current-Continuous(TC=25℃) -19 A

    ● ID Drain Current-Continuous(T=100℃)

    ● C -13.5 A

    ● IDM (pluse) Drain Current-Continuous@ Current-Pulsed(Note1) -76 A

    ● Maximum Power Dissipation(TC=25℃) 79 W

    ● PD Maximum Power Dissipation(T=100℃)

    ● C 39.5 W

    ● EAS Avalanche energy(Note2) 156 mJ

    ● TJ,TSTG Operating Junction and Storage Temperature Range -55To175 ℃

    ● Table 2. Thermal Characteristic

    ● Symbol Parameter Typ Max Unit

产品简介

产品特性

应用场景

产品简介

产品特性

● 100V P-Channel Trench Power MOSFET

封装标识与订购信息（Package Marking and Ordering Information）

（无）

绝对最大额定值（Absolute Maximum Ratings）

● Symbol Parameter Limit Unit

● VDS Drain-Source Voltage(VGS=0V) -100 V

● VGS Gate-Source Voltage(VDS=0V) ±20 V

● Drain Current-Continuous(TC=25℃) -19 A

● ID Drain Current-Continuous(T=100℃)

● C -13.5 A

● IDM (pluse) Drain Current-Continuous@ Current-Pulsed(Note1) -76 A

● Maximum Power Dissipation(TC=25℃) 79 W

● PD Maximum Power Dissipation(T=100℃)

● C 39.5 W

● EAS Avalanche energy(Note2) 156 mJ

● TJ,TSTG Operating Junction and Storage Temperature Range -55To175 ℃

● Table 2. Thermal Characteristic

● Symbol Parameter Typ Max Unit

应用场景